招生簡(jiǎn)章

一、開(kāi)辦單位

武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院

二、微專(zhuān)業(yè)簡(jiǎn)介

本微專(zhuān)業(yè)面向國(guó)家半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略與芯片制造領(lǐng)域的“卡脖子”問(wèn)題，以學(xué)科交叉和產(chǎn)教融合為定位，旨在培養(yǎng)掌握半導(dǎo)體材料、器件、工藝及先進(jìn)封裝技術(shù)的復(fù)合型人才。培養(yǎng)對(duì)象主要為具備高等數(shù)學(xué)和大學(xué)物理基礎(chǔ)的理工科在讀本科生。通過(guò)系統(tǒng)學(xué)習(xí)，學(xué)生將具備扎實(shí)的理論基礎(chǔ)、芯片制造核心技能（如光刻、刻蝕等），以及工藝設(shè)計(jì)、技術(shù)創(chuàng)新與團(tuán)隊(duì)協(xié)作等綜合能力，從而滿足集成電路、光電子等行業(yè)對(duì)高素質(zhì)技術(shù)人才的需求。

三、微專(zhuān)業(yè)特色

本微專(zhuān)業(yè)的核心特色在于依托材料科學(xué)與工程學(xué)院堅(jiān)實(shí)的學(xué)科平臺(tái)與豐富的產(chǎn)業(yè)資源，實(shí)現(xiàn)“產(chǎn)教融合、學(xué)研互促”的深度整合。具體而言：它以湖北省一流專(zhuān)業(yè)“材料物理”為母體，擁有從本科到博士的完整培養(yǎng)體系及多個(gè)省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和工程中心作為教學(xué)支撐；同時(shí)，它深度融合地方產(chǎn)業(yè)，與武漢新芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等頭部芯片企業(yè)建立了穩(wěn)定的人才培養(yǎng)合作，并建有專(zhuān)用的半導(dǎo)體芯片制造本科實(shí)驗(yàn)室，確保學(xué)生能夠在真實(shí)的產(chǎn)業(yè)環(huán)境和先進(jìn)的實(shí)踐平臺(tái)中，掌握從材料、器件到制造工藝的全鏈條應(yīng)用能力。

四、培養(yǎng)目標(biāo)

培養(yǎng)具備扎實(shí)半導(dǎo)體物理、材料與工藝基礎(chǔ)，掌握芯片制造核心技能（如光刻、刻蝕、薄膜沉積、封裝測(cè)試等），熟練掌握先進(jìn)制造設(shè)備操作的應(yīng)用型人才。通過(guò)系統(tǒng)性學(xué)習(xí)與實(shí)踐，學(xué)生將具備以下能力：

理論能力：深入理解半導(dǎo)體物理機(jī)制與工藝原理，掌握芯片制造全流程知識(shí)；

實(shí)踐能力：熟練掌握微電子工藝流程，能夠獨(dú)立完成芯片制造及封裝流程設(shè)計(jì)；

創(chuàng)新能力：針對(duì)行業(yè)技術(shù)瓶頸，結(jié)合所學(xué)主專(zhuān)業(yè)，提出創(chuàng)新解決方案；

職業(yè)素養(yǎng)：具備團(tuán)隊(duì)協(xié)作、工程管理與跨學(xué)科溝通能力，適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)展需求。

五、招生計(jì)劃及條件

計(jì)劃招生人數(shù)：30-50人

六、招生要求

招生對(duì)象：在校二年級(jí)或三年級(jí)理工科本科生

先修課程要求：高等數(shù)學(xué)、大學(xué)物理

七、開(kāi)設(shè)課程

（一）開(kāi)設(shè)課程一覽表

（二）課程具體介紹

1. 材料科學(xué)基礎(chǔ)

學(xué)時(shí)/學(xué)分：48學(xué)時(shí)，3學(xué)分

課程目標(biāo)：掌握材料晶體結(jié)構(gòu)、相變規(guī)律、缺陷與擴(kuò)散機(jī)制，理解材料性能與工藝的關(guān)聯(lián)性。

考核方式：閉卷考試（70%）+ 平時(shí)作業(yè)（30%）

2. 半導(dǎo)體物理與器件

學(xué)時(shí)/學(xué)分：32學(xué)時(shí)，2學(xué)分

課程目標(biāo)：掌握半導(dǎo)體能帶理論、載流子輸運(yùn)規(guī)律及PN結(jié)、MOSFET等器件物理模型。

考核方式：閉卷考試（70%）+平時(shí)作業(yè)（30%）

3. 半導(dǎo)體薄膜制造工藝

學(xué)時(shí)/學(xué)分：48學(xué)時(shí)，3學(xué)分

課程目標(biāo)：掌握化學(xué)氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）等薄膜制備技術(shù)及工藝優(yōu)化方法。

考核方式：閉卷考試（70%）+平時(shí)作業(yè)（30%）

4. 材料研究與測(cè)試方法

學(xué)時(shí)/學(xué)分：32學(xué)時(shí)，2學(xué)分

課程目標(biāo)：掌握SEM、XRD、四探針測(cè)試等材料表征方法，具備工藝質(zhì)量分析能力。

考核方式：閉卷考試（70%）+平時(shí)作業(yè)（30%）

5. 芯片制造技術(shù)

學(xué)時(shí)/學(xué)分：32學(xué)時(shí)，2學(xué)分

課程目標(biāo)：掌握光刻、刻蝕、離子注入等芯片制造核心工藝技術(shù)。

考核方式：閉卷考試（70%）+平時(shí)作業(yè)（30%）

八、學(xué)習(xí)年限及證書(shū)

學(xué)習(xí)年限：一年

證書(shū)：學(xué)生按培養(yǎng)方案要求，修滿規(guī)定學(xué)分，經(jīng)學(xué)院初審、學(xué)校審核認(rèn)可后，由學(xué)校統(tǒng)一制作并發(fā)放微專(zhuān)業(yè)證書(shū)。

九、學(xué)費(fèi)

學(xué)費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：微專(zhuān)業(yè)課程按照學(xué)校統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)收取學(xué)分學(xué)費(fèi)。學(xué)費(fèi)為100元/學(xué)分，由學(xué)校財(cái)務(wù)處一次性收取。

十、微專(zhuān)業(yè)聯(lián)系人及聯(lián)系方式

聯(lián)系人：熊禮威   QQ咨詢(xún)?nèi)海?42397851